存储芯片行业分析报告怎么写:附市场现状及发展前景分析

1、存储行业周期触底,下半年或迎复苏

半导体行业包括集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业,其中集成电路又可根据功能细分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等领域。根据世界半导体贸易统计(WSTS)数据,2021 年全球半导体行业规模达到5559亿美元,同比增长 26%。其中存储器细分赛道的占比为28%,市场规模为1538亿美元,同比增长 31%,是半导体市场中规模x大的子行业。此外,2021 年全球光电子器件、分立器件、传感器市场规模分别为 424.04、303.37、191.49 亿美元,占比分别为 8%、5%、3%。

存储芯片是半导体核心元器件之一,根据其性质可划分为不同的类型。按照掉电后数据是否可以继续保存在器件内,存储芯片可分为掉电易失和掉电非易失两种,其中易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM);非易失性存储器主要包括可编程只读存储器(PROM),闪存存储器(Flash)和可擦除可编程只读寄存器(EPROM/EEPROM)等。

 

 

根据 IC Insights 数据,全球半导体存储市场中,DRAM和NANDFlash 是主要的两种存储芯片,占据主导地位。其中,2021 年 DRAM约占56%,NANDFlash约占 41%。其他形态的存储产品,如以 NOR Flash 为代表的小容量存储,占比约为 2%。

存储芯片作为半导体产业的风向标,呈现出较强的周期性,行业景气度受供需关系影响较大,在景气度高涨时,各厂商扩大产能以增加收入,易导致供应过剩,而在景气度下降时则收缩产能、降价清理库存,x终导致市场供不应求。此外,存储市场具有长期成长性,随着人工智能、物联网、云计算等行业的快速发展,整个存储行业长期市场规模持续上行。

2022 年在宏观经济环境恶化和地缘因素影响下,全球消费电子市场需求下滑明显,终端、渠道、原厂库存高企,进一步抑制了对存储产品的需求。据CFM闪存市场预测,2022 年全球存储市场规模将下降约 13%,按季度划分,2022Q4存储市场规模已回到 2019 年 Q1 和 Q2 的周期低点水平,在淡季影响下,预计2023Q1 市场规模继续环比下降,2023Q2 存储市场规模有望逐季增长。存储容量方面,2022 年 NAND Flash 市场容量规模增长 6%,达 610 B GB;DRAM存储容量规模将增长 4%,达 194 B Gb,2023 年随着需求逐步改善,预计NAND和DRAM存储容量规模将分别同比增长 20%、10%。

2、需求端:存储行业有望触底反弹,AI 服务器推动需求增长

目前存储行业下游市场占比较大的是智能手机、服务器、PC 等。根据CFM闪存市场数据,2021 年 DRAM 下游应用中,智能手机、PC、服务器占比分别为35%、16%、33%; NAND 的下游应用中,手机、cSSD、eSSD、存储卡/UFD占比分别为 34%、22%、26%、9%。

 

 

2.1、手机:需求持续疲软,下半年有望迎来小幅反弹

2019 年-2022 年,全球智能手机出货量整体起伏不大,稳定在12-14 亿台左右: 国内智能手机出货量自 2016 年以来持续减少,2021 年实现15.93%的大幅反弹,而受制于疫情影响,换机周期延长等不利因素,2022 年国内手机市场继续萎缩。2023 年随着海外中低端 5G 手机普及率的提高、通胀政善以及中国疫情管控的放松等因素,全球及国内智能手机出货量有望实现反弹。

手机平均容量不断增长助推存储需求增长。由于近年来新旧智能手机之间的差异逐渐缩小,消费者换机周期不断延长、对大容量机型的需求更加强烈。高端旗舰手机基于品牌定位和足够的利润空间,不断提升产品性能和存储容量,小米13Pro、OPPO Find N2、vivo X90 Pro 和荣耀 80 Pro 等各大手机厂商x新推出的旗舰手机,普遍采用 UFS3.1/UFS4.0 和 LPDDR5/LPDDR5X 技术,存储容量普遍达到 256GB 及以上,搭载 256GB 以上存储容量的高端智能手机占比逐步提升。

2.2、PC:Q1 全球 PC 出货量下跌 33%,预计下半年将复苏

PC:Q1 全球 PC 出货量下跌 33%,预计下半年将复苏。据Canalys 数据,2023Q1 全球个人电脑的总出货量下降 33%至 5400 万台,连续四个季度达到两位数的年跌幅。当前 PC 需求仍旧疲软,以华硕、联想、小米为代表的主流PC厂商销量下滑、库存水位上涨,在 2022Q2 创下库存周转天数新高,整体行业库存仍未恢复健康状态,2023 年随着需求逐步复苏,库存有望恢复正常水平。

 

 

2.3、服务器: 短期需求承压,下半年出货量有望恢复

2022H2 主要的云服务采购商 AWS、Azure、谷歌和Meta 的业务收入增速均出现放缓,其中 AWS 在 2022Q3 增速放缓至 27.5%,为自2014 年以来x低;Azure的增速则放缓至 35%,服务器市场开始一轮库存调整,预计持续至23Q2结束。但由于 AI 和云计算的整体增长前景向好,CFM 闪存市场预计2022 年服务器出货量为 1330 万台同比增长 3%,2023 年有望恢复至5%的增速。

受益于 AI 应用爆发,AI 服务器市场有望持续扩张。据TrendForce 数据,AI 服务器 2022-2026 年复合增长率达 10.8%,至 2026 年AI 服务器年出货量有望达到20 万台左右。此外,随着 AI 技术对高算力的需求增长,HBM芯片有望快速放量。根据 Omida, 2019 年 HBM 市场规模为 5 亿美元,至2025 年市场规模有望达 25 亿美元。

HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)是基于3D堆叠工艺的新型DRAM 解决方案,HBM 使 DRAM 从传统 2D 转变为立体3D,充分利用空间、缩小面积,突破了内存容量与带宽瓶颈。HBM 主要是通过硅通孔(TSV)技术进行芯片堆叠,以增加吞吐量并克服单一封装内带宽的限制,将数个DRAM裸片垂直堆叠。通过增加带宽,扩展内存容量,使模型与参数留在离核心计算更近的地方,从而降低延迟。未来人工智能、机器学习、高性能计算、数据中心等应用市场对带宽将提出更高的要求,持续驱动 HBM 迭代发展。

 

 

2.4、汽车电子:汽车电动化及智能化有望提升车载存储需求

根据中汽协数据,国内新能源汽车出货量从 2016 年的51.7 万辆增长至2022年的 705.8 万辆,CAGR 达 54.6%。据美光数据,新一代IVI 系统和更先进的驾驶辅助系统等的需求增长,将推动 2023 年汽车存储市场的强劲增长。具体来看,随着自动驾驶 L1 发展至 L5 等,车载智能芯片、T-BOX、GW、液晶仪表盘、DVR 和 EDR 等对汽车本地存储的需求越来越高,车辆搭载的摄像头、激光雷达、热成像等传感器的需求也将不断增加以满足数据收集、交换和实时信息分享的需求,从而推动汽车存储市场规模的增长,2030 年预计可达到200 亿美元规模,其中x大的推动力来自 IVI 信息娱乐系统和 ADAS 的发展。

3、供给端:各大存储厂缩减资本开支,存储芯片供需关系有望改善

由于下游需求持续低迷,海力士、美光、旺宏、华邦电等各大存储芯片大厂均缩减资本开支、调低产能利用率,未来随着各大存储厂商主动去库存和减产,供需关系有望持续改善。

销售端:2022Q4 三星存储部门营收 12.14 万亿韩元,同比下降38%,环比下降20%。2022Q4 三星 DS 部门营业利润为 0.27 万亿韩元,同比下降97%,环比下跌 95%。

 

 

2023Q1 SK 海力士营收 5.09 万亿韩元,同比下降58%,环比下降34%,其中,NAND 业务收入占比 33%,约 1.68 万亿韩元;DRAM业务收入占比58%,约2.95 万亿韩元。营业利润为-3.4 万亿韩元,净利润-2.59 万亿韩元。

美光 FY2023Q2 季度营收 36.93 亿美元,同比下降53%,环比下降10%。其中DRAM 收入 27.22 亿美元,占营收 74%,同比下降52.4%,环比下降3.8%。DRAM Bit 出货量环比增长约 15%,DRAM ASP 环比下降约20%。NAND 收入 8.85 亿美元,占总营收 24%,同比下降54.8%,环比下降19.8%。NAND Bit 出货量环比增加约 5%~10%,NAND ASP 环比下跌约25%。美光预计23 年 DRAM Bit 需求增长放缓至 5%左右,NAND Bit 需求增长在低双位数百分比范围。

库存端:库存接近历史高点,2023Q2 有望逐步下降。截至2023Q1,海外存储大厂库存压力普遍较大,从库存水位来看,美光平均库存周转天数为235 天,库存减记后为 153 天,预计库存周转天数已经在该季度达到峰值,预计Q2 后库存有望逐步下降。

4、价格端:存储芯片价格跌幅有望收敛,供需关系改善加速价格拐点到来

DRAM:目前市场仍处于消费需求疲弱的局面,存储器厂商库存压力持续。由于海外多家供应商已开始积减产,预计价格跌幅有望收敛。TrendForce预计2023Q2 DRAM 价格跌幅有望收敛至 10~15%。

 

 

NAND Flash:目前 PC、手机端等市场需求仍处于萎缩阶段。在市场需求、通货膨胀等多种不确定因素的影响下,预测 NAND 在 2023 上半年仍处于供应过剩局面,价格存在继续下跌的可能。TrendForce 预计 2023Q2 NANDFlash 价格跌幅有望收敛至 5~10%。

综上,从需求端来看,存储芯片需求仍保持较低水平,而供给端来看,随着各大厂商主动去库存和减产,供需关系有望持续改善。基于目前供需关系,我们认为行业景气度位于底部区域,23H2 需求有望触底回升。

5、投资分析

兆易创新

兆易创新于 2005 年创立于北京,公司现有产品主要分为存储器产品、微控制器产品以及传感器产品。公司产品下游应用广泛,主要涵盖手机、平板电脑等手持移动终端、消费类电子产品、物联网终端、个人电脑及周边,以及通信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子、工业控制设备等领域。2022 年存储业务占比59.36%,其中 NOR Flash 产品占绝大比例, MCU 占比已达34.80%。并购思立微后拓展的传感器业务占比 5.35%。

 

 

受益于国产替代浪潮,业绩持续高速增长。2016—2022 年间,营业收入从14.89亿元增长至 81.30 亿元,CAGR 为 32.70%,同期间归母净利润从1.76 亿元增长至 20.53 亿元,CAGR 为 50.60%。2022 年以来,半导体行业供需状况从全面供不应求逐步转为结构性紧缺,全球消费市场低迷,终端需求有所下滑,手机等部分消费市场产品出现供过于求,而汽车、工业市场需求依然坚挺。公司不断丰富完善产品线,不断开拓新领域和新应用,不仅保持在消费市场,尤其是中高端消费市场的优势,并持续布局工业、汽车等行业。2022 年营业收入为81.30亿元,同比下降 4%,归母净利润为 20.53 亿元,同比下降12%。

行业缺货叠加国产替代,盈利能力稳步提升。2016-2020 年公司毛利率较为稳定,2021 年受益于 MCU、NOR Flash 等产品缺芯涨价,公司毛利率快速提升,2022年公司毛利率达 47.66%,创历史新高,净利率达 25.25%。

公司近年研发费用逐年提高,呈现平稳增长的趋势。2022 年公司研发费用达10.29 亿元,约占营业收入 12.66%。公司在建立技术优势并取得良好业绩回报的同时,高度关注知识产权保护,截止 2022 年底,公司已获得929 项授权专利,公司通过专利布局,为技术创新构筑知识产权护城河。

兆易创新短期业绩承压,但是长期受益于国产化替代加速,有较大的成长空间:1)MCU 方面,国内 MCU 市场主要由海外龙头大厂主导,本土厂商市占率较低,随着终端需求智能化与新能源汽车放量,MCU 国产替代有进一步提升空间,此外,公司进XXX车规领域,有望打开成长天花板,国产替代空间巨大;2)NORFlash 方面,兆易创新前瞻性布局大容量 NOR Flash,大容量占比逐步提升,推出 512Mb/1Gb/2Gb 大容量产品以及 GD25/55 系列产品,涵盖市场主流容量,随着工业控制、汽车电子、AI、物联网以及 5G 等领域需求的上升,有望带动营收持续增长;3)DRAM 方面,与长鑫积联手合作,推出自研DRAM产品,切入消费类、工控及车轨等利基型市场,目前 17nmDDR3 研发顺利,后续产品的研发进一步推进,有望快速放量,继续扩张利基型市场。

北京君正

北京君正成立于 2005 年 7 月,目前公司产品覆盖存储芯片、智能视频芯片、模拟与互联芯片、微处理器芯片等领域,主要是面向汽车、工控/医疗、高端消费类市场,尤其在汽车领域具备深厚的客户基础。2022 年,公司存储芯片产品线收入占比 74.92%,智能视频芯片、微处理器和模拟与互联芯片产品线收入分别占比为 11.88%、2.35%和 8.85%。

 

 

2021 年业绩实现高增长,2022 年业绩有所承压。在2021 年,随着全球经济复苏,公司总体营收快速增长,2021 年实现营收 52.74 亿元,同比增长143.07%,归母净利润 9.26 亿元,同比增长 1,165.27%。在 2022 年,公司实现营收54.12亿元,同比增长 2.61%;实现归母净利润 7.89 亿元,同比下降14.79%。在2021年出现一波高速增长和缺货潮之后,2022 年受芯片供给过剩导致单价下滑影响,公司业绩出现下滑。

盈利能力方面,公司多数产品毛利率虽出现下滑,但贡献大部分营收的存储芯片毛利率增幅明显,带动公司整体毛利率同比增加 1.60pct。

公司研发投入持续扩大,研发人员不断增多。 2021 年,公司研发费用达5.61亿元,占营收比重为 10.6%,2022 年公司研发投入持续加大,研发费用达6.55亿元,占营收总额的 12.1%。

汽车智能化加速,车载存储&模拟互联需求持续增长。根据Omdia 统计,公司2022 年车规 SRAM、车规 DRAM、Nor Flash 产品收入在全球市场中分别位居第二位、第七位、第六位,处于国际市场前列。随着汽车智能化的发展,汽车对存储芯片、LED 驱动芯片的需求和产品种类越来越多,同时,车规互联芯片的需求也不断增加,公司在存储芯片和模拟、互联芯片领域持续进行产品研发,公司在存储芯片和模拟、互联芯片领域持续进行产品研发,不断推出新的产品型号,满足市场对相关产品不断发展的需求。 “计算+存储+模拟”平台化发展,新产品研发推广顺利。1)存储芯片领域,公司持续进行不同容量的芯片研发与投片工作,2G LPDDR2、4GLPDDR4已经完成量产,8Gb LPDDR4 已经完成送样,目前进展顺利;2)微处理器芯片领域,X1600 系列芯片已经完成测试和量产工作,下一代升产品X2600 的研发正在进行中; 3)模拟与互联网领域,矩阵式和高亮型LED 驱动芯片的研发和投片工作已经完成,车规 LIN 芯片开始向客户送样,GreenPHY 正面向欧美市场导入;4)智能视频领域,公司从单一芯片平台拓展至多芯片平台,并且,12nm工艺新品 T41 已完成研发与投片,同时启动了面向轻量AI IPC 产品市场的研发,部分智能视频芯片已在客户小批量出货。

澜起科技

澜起科技成立于 2004 年,并于 2019 年上市,如今已经发展成为国际领先的内存接口芯片供应商。目前公司拥有两大产品线,互连类芯片产品线和津逮®服务器平台产品线。其中,互连类芯片产品主要包括内存接口芯片、内存模组配套芯片、PCIe Retimer 芯片、MXC 芯片等,津逮®服务器平台产品包括津逮®CPU和混合安全内存模组(HSDIMM®)。同时,公司正在研发基于“近内存计算架构”的AI芯片。2022 年,互连类芯片产品线收入占比 74%,津逮®服务器平台产品线收入占比 26%,其中津逮®服务器平台产品线维持快速发展态势,2022 年实现营业收入 6.90 亿元,同比增长 11%。

 

 

DDR5 升换代助力业绩稳步上行。2021 年公司实现营收25.62 亿元,同比增长40.46%,归母净利润 8.29 亿元,同比下降 24.91%。主要系DDR4 内存接口芯片进入产品生命周期后期,产品价格不断下降,同时DDR5 相关产品在2021Q4才正式量产出货从而造成互连类芯片产品线的毛利率下滑明显。2022 年随着DDR5内存接口芯片及内存模组配套芯片渗透率稳步提升,公司实现营收36.72亿元,同比增长 43.33%,实现归母净利润 12.99 亿元,同比增长56.71%。

DDR5 内存接口芯片推出有望提振盈利能力。2017~2019 年公司净利率和毛利率稳步提升,主要系内存接口芯片 DDR4 Gen2.0 及 2.0 plus 产品销售占比不断提升。2021-2022 年公司毛利率持续承压,主要由于 DDR4 进入产品生命周期后期,产品价格有所下降,且津逮®服务器毛利率较低,收入占比提升也拉低了综合毛利率。预计未来伴随 DDR5 快速放量,公司盈利能力有望改善。

专注技术研发和产品创新,研发投入不断加大。2017-2021 年,公司研发费用率均保持在 15%左右。2022 年公司研发投入持续加大,研发费用达5.63 亿元。

DDR5 渗透率快速提升,驱动内存接口芯片量价齐升。服务器方面,随着全球数据总量的爆发式增长以及数据向云端迁移的趋势,新的数据中心建设力度不减,服务器作为基础的算力支撑,整体服务器市场有望保持稳步增长,此外,近期AMD、Intel 服务器新品发布将加速 DDR4 向 DDR5 的迭代速度。内存接口芯片方面,单颗 CPU 配套内存模组数量增加+内存接口芯片及配套芯片用量和ASP提升将带来显著的市场增量。此外公司研发新产品PCIe Retimer 、MXC、AI 芯片,围绕服务器领域开展平台化转型,有望开启第二轮增长曲线。

聚辰股份

聚辰半导体成立于 2009 年,公司目前拥有 EEPROM、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条主要产品线。根据 web-feet 统计,2019 年聚辰EEPROM产品的市场份额为国内首位、全球排名第三位。2022 年公司 EEPROM芯片、智能卡芯片、音圈马达驱动芯片占营业收入比例分别为 87.12%、7.04%、5.83%。

 

 

SPD 产品及汽车 EEPROM 产品放量推动业绩增长。2022 年公司营收9.8亿元,同比增长 80.21%;归母净利润 3.54 亿元,同比增长226.81%。主要系随着DDR5 内存技术的商业化应用,DDR5 内存模组所需的SPD 产品需求量迅速增长,同时聚辰半导体是国内领先的汽车 EEPROM 产品供应商之一,其汽车EEPROM 产品实现大量供货。

高附加值产品占比提升,盈利能力提升显著。受益于公司SPD产品、高可靠性EEPROM 产品等高附加值产品销售占比的提升,2022 年公司毛利率同比提升28.25pct。

加强产品升完善,研发开支增长较大。公司 2022 年加强了对产品的升完善以及新产品、新技术的研发,同时较大幅度增长研发人员薪酬,2022 年研发支出达到 1.34 亿元。从 2020 年到 2022 年公司研发投入稳步增长。

DDR5 加速渗透,SPD 实现大批量出货。根随着英特尔第12 代Alder Lake平台上市,新一代 DDR5 内存模组已于 2021 年第四季度正式导入市场。相比DDR4内存,新一代 DDR5 内存具有速度更快、功耗更低、带宽更高等优势,有望在未来实现对 DDR4 内存的更新和替代。针对x新的DDR5 内存技术,公司与澜起科技合作开发配套新一代 DDR5 内存条的 SPD 产品,为DDR5 内存模组不可或缺的组件,在 DDR5 内存技术商用的驱动下,应用于DDR5 内存模组的SPD产品需求量迅速增长。作为业内少数拥有完整 SPD 产品组合和技术储备的企业,公司积响应下游客户需求并形成了稳定的产品供货能力和优异的品牌认可度,SPD 产品实现大批量供货,成为公司业绩增长的重要驱动力。

汽车电动化、智能化、网联化成必然趋势,汽车 EEPROM有望高速增长。公司作为国内领先的汽车 EEPROM 产品供应商,目前已拥有A1 及以下等的全系列汽车 EEPROM 产品。随着汽车电动化、智能化、网联化趋势的不断发展,汽车电子产品的渗透率快速提升,在全球汽车“缺芯”的背景下,公司凭借较高的产品质量、高效的市场响应能力、较为完整的应用产品线和稳定的供货能力,及时把握汽车 EEPROM 芯片供应短缺带来的市场发展机遇,汽车EEPROM产品的销量实现高速增长,产品广泛应用于汽车的智能座舱、三电系统、视觉感知、底盘传动与微电机等四大系统的数十个子模块,终端客户包括众多国内外主流汽车厂商。此外,公司积完善在 A0 等汽车EEPROM的技术积累和产品布局,并开发满足不同等的 ISO 26262 功能安全标准的汽车EEPROM产品。

普冉半导体

普冉半导体成立于 2016 年,深耕低功耗非易失性存储器芯片设计领域,目前公司主要产品包括 NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。2022 年,存储芯片营收占比达94.27%,微控制器及其他营收占比 5.73%。

 

 

公司立足存储,布局多产品线协同发展。(1)NOR Flash 方面,SONOS兼具成本和制程优势,在蓝牙耳机、TDDI、AMOLED 等下游领域需求广泛,且公司行业地位领先,2020 年全球市占率约 2.9%位列第六,预计2022 年公司市占率将进一步提升至 5.4%。(2)EEPROM 方面,公司产品性价比优势明显,广泛应用于手机摄像头模组、智能仪表等领域,行业地位不断提升。此外,公司积研发汽车和工业产品,未来汽车电子有望接力现存业务进一步打开下游市场空间,后续市场份额有望持续提升。

公司短期业绩承压,静待需求回升。2022 年公司营业收入和归母净利润分别为9.25 亿元、0.83 亿元,同比分别下降 16.15%、71.44%,主要原因是行业景气度较 2021 年大幅下降,同时消费电子产品出货量缩减传导至上游对公司收入造成冲击。

公司销售毛利率小幅波动,22 年净利率大幅下跌。(1)2017-2022 年公司综合毛利率在 23.79%至 36.23%之间波动,2022 年毛利率小幅下降至29.85%,主要受公司降价去库存战略的影响,其中存储类芯片销售毛利率29.65%,同比下降6.58pct,微控制器和其他毛利率 33.19%,同比下降13.36pct。(2)2017-2021年公司销售净利率从 4.78%稳步增长至 26.40%,2022 年出现较大幅度下降,至8.99%,主要受以下几方面的影响:研发费用大幅增长,计提6793.27 万元的存货跌价,21 年公司被认定为XXX重点集成电路设计企业,免征所得税,22年按10%的优惠税率交税。

公司持续重视产品研发和产品种类拓展,不断加强培养人才梯队。2022年公司在原有存储芯片领域,继续拓展品类,深化制程迭代,并加强向工规、车规领域发展的投入;新增“存储+”战略路径,积拓展MCU 及存储结合模拟等全新产品线。2022 年公司研发费用达 1.49 亿元,同比增长62.42%,占营业收入的比重为 16.07%,研发人员数量显著增加,人员薪酬和其他研发投入同比有较大幅增加。

立足现有存储芯片技术,未来战略布局“存储+”赛道。(1)在原有存储产品线领域,SONOS 工艺结构 40nm 工艺节点以下的NOR Flash 全系列产品已成为量产交付主力;50nm ETOX 已经实现六颗产品的大批量量产出货,逐步推出256Mbit 到 1Gbit 容量产品;EEPROM 产品主要采用130nm工艺,部分中大容量产品采用 95nm 及以下工艺制程下并已实现量产,车载EEPROM产品已完成AEC-Q100 标准的全面考核,主要应用于车身摄像头、车载中控、娱乐系统等领域。(2)在“存储+”产品线领域,MCU 和 VCM Driver 等新产品的量产及销售进一步丰富公司现有产品结构,驱动公司向更高附加值领域和更多元化的市场拓展。基于 ARM 内核的 32 位 M0+ MCU 产品量产出货,M4 产品设计阶段完成并预计于今年出货;应用在手机摄像头领域的支持高通新一代平台的1.2V应用VCM Driver 产品完成研发并进入客户送样和认证阶段;推出音圈马达驱动与EEPROM 二合一产品,大大缩小芯片面积。

东芯股份

东芯股份成立于 2014 年 11 月,并于 2021 年上市,是国内少数拥有自主知识产权聚焦中小容量存储芯片领域的研发设计厂商。公司核心产品包括NANDFlash、NOR Flash、MCP 和 DRAM 四个类别,广泛应用于工业控制、通讯网络、消费电子、移动设备和物联网 IoT 领域。公司于 2015 年成功实现国内x颗1GbSLC SPI NAND Flash 芯片流片,目前已经实现 SLC NAND 产品从1Gb到32Gb的量产或流片。2022 年 NAND 产品营收占比 61.75%,NOR、MCP、DRAM占比分别为 6.30%、19.66%、7.12%,NAND 占比呈逐年上升趋势。

 

 

技术积累厚积薄发,扭亏为盈快速增长。2017-2022 年公司营业收入从3.58亿元增长至 11.46 亿元,5 年 CAGR 为 26.20%;归母净利润在2020 年扭亏为盈,并在 2021 年快速增长,主要系产品放量规模效应显现和NAND 系列产品价格稳定。2022 年公司营收仍实现 1.03%的微小增幅,但归母净利润收缩至1.85 亿元,同比下降 29.17%,主要系研发费用较上年增长 0.36 亿元和存货跌价的计提。

毛利率、净利率稳步提升,2022 年出现小幅下降。公司销售毛利率从2017年的21.73%提升至 2022 年的 40.58%,净利率从-23.63%提升至18.97%。2020年公司净利率扭亏为盈、2021 年增速大幅提升主要归因于销售规模扩大导致规模效应显现,叠加微缩制程、提高良率的影响,使现有产品结构持续优化,同时高附加值和高毛利率产品的销售占比提升,从而利率大幅提升。2022 年各产品的毛利率均出现下滑,主要与行业景气度下行有关。

公司产品研发加速,助力新一轮景气周期下业绩放量。(1)SLCNANDFlash方面,部分 28nm 及 24nm 制程产品实现量产标准,1xnm 产品已完成首轮晶圆流片、首次晶圆制造和功能性验证。(2)Nor Flash 方面,SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb;512Mb、1Gb 大容量产品都已有样品可提供给客户,且公司在中芯国际的 NOR Flash 产品制程从 65nm 推进至 55nm,目前该制程产线已完成首次晶圆流片。(3)DRAM 方面,公司可实现 25nm 工艺节点的量产,自研的LPDDR4x 及 PSRAM 产品均已完成工程样片并已通过客户验证。(4)车规方面,公司基于中芯国际 38nm 工艺平台的 SLC NAND Flash 以及基于力积电48nm工艺平台的 NOR Flash 均有产品通过 AEC-Q100 测试,将适用于要求更为严苛的车规应用环境。

江波龙

江波龙成立于 1999 年,主要从事 Flash 及 DRAM 存储器的研发、设计和销售。目前公司主要核心业务在四个方面:嵌入式存储、移动存储、固态硬盘和内存条,2022 年占比分别为 52.4%,24.5%,18.1%和 5.0%,同时拥有行业类存储品牌FORESEE 和国际高端消费类存储品牌 Lexar(雷克沙)。

 

 

公司近年营收规模持续提升,盈利能力不断增强,2022 年受行业周期影响有所下降。2018-2021 年公司分别实现营收 42.28 亿元、57.21 亿元、72.76亿元、97.49 亿元,CAGR 达 30.74%,实现归母净利润-0.57 亿元、1.28 亿元、2.76亿元、10.13 亿元,营收和归母净利润迅速增长。2022 年受存储行业下行周期影响,2022 年实现营收 83.30 亿元,同比下降 14.55%,实现归母净利润7,279.70万元,同比下降 92.81%。

公司分产品线的毛利率有小幅波动,整体的利润率水平呈上升趋势。2018-2021年,公司综合毛利率分别为 7.62%、10.71%、11.96%、19.97%,净利率分别为-1.38%、2.23%、3.80%、10.39%,整体水平逐步爬升。受到存储行业景气度下行影响,公司 2022 年毛利率和净利率均有所下降,分别为12.4%和0.87%。目前,公司重点布局车规工规存储、企业存储和存储芯片设计研发,重点应用于数据中心、智能汽车、智能电网、安防监控、工业物联网等应用领域。未来随着新产品持续导入,公司将进一步升产品矩阵,提升在数据中心等市场的竞争力。

公司专注技术研发和产品创新,研发投入不断加大。2019-2021 年,公司研发费用率分别为 1.57%,3.02% 和 3.31%。2022 年,公司研发费用达3.56 亿元,占营业收入的 4.27%。

公司持续优化产品结构以及客户结构,带来持久性的增长因素。1)车规存储领域,公司在中国大陆率先推出了自研的 512 Mb SLC NANDFlash 小容量存储芯片,可广泛用于 IoT 市场,并在技术上可以替代NOR Flash,未来具有良好的市场前景。2)在 Lexar(雷克沙)的消费者市场业务方面,公司将于2023年在全球更多的XXX、地区部署本地化业务与服务,进一步丰富和挖掘消费者市场上的潜力,Lexar(雷克沙)会持续保持明显增长。3)企业存储领域,公司在2022 年先后成功推出 Longsys AQUILA RDIMM、Longsys ORCASeries NVMeSSD、Longsys UNCIA。2023 年,公司的 PCIe eSSD 和RDIMM产品有望逐步实现放量增长,形成产品配套的竞争优势 4)嵌入式存储领域,公司保持对UFS新一代嵌入式存储、集成式嵌入式存储(即 ePOP、eMCP 等)的研发力度,有望延续公司 eMMC 产品的市场领先优势。

 

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